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              三极管各极有什么区别,怎么辨认!

              日期:2019/11/5 10:55:05
              摘要:半导体三极管,也称为晶体管,它是由三层半导体制成的两个PN结组成。从三块半导体上各引出一根导线是晶体管的三个电极,它们分别叫做发射极e,基极b和集电极c。每块对应的半导体称为发射区,基区和集电区。

              gate www.bbkhc.com 关键词:半导体三极管

              从本质上分辨,可以通过分辨发射区,基区,集电区,分辨发射极e,基极b,和集电极c。因为这三个电极都是三极管中各区导线牵出去的。

              发射区和集电区均为N型半导体,不同的是,发射区比集电区掺入的杂质多,在几何尺寸上,集电区的面积要远比发射区的大。而基区在发射区和集电区之间。

              简化电路中一般用“Y型来表示,一般都会有标识,其中b就是基极,e就是发射极,c是集电极。

              如果没有标识,同样是“Y交叉处为基极,然后“Y”有箭头出来的是发射极,另一个自然就是集电极了。

              分辨三极管各极的方法大概就是这样了,如果有帮到你的话请投票点赞哦!

              BSO094N03S www.dzsc.com/ic-detail/9_10424.html技术参数

              品牌:INFINEON

              型号:BSO094N03S

              批号:19+

              封装:SOP8

              数量:250000

              系列:OptiMOS??

              包装:带卷(TR)

              零件状态:Digi-Key已不再提供

              FET类型:N沟道

              技术:MOSFET(金属氧化物)

              漏源极电压(Vdss):30V

              电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A(Ta)不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@30?A不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2300pF@15VFET功能:-功率耗散(最大值):1.56W(Ta)不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):9.1毫欧@13A,10V工作温度:-55°C~150°C(TJ)安装类型:表面贴装(SMT)供应商器件封装:PG-DSO-8封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm宽)

              晶体管极性: N-Channel

              Vds-漏源极击穿电压: 30 V

              Id-连续漏极电流: 10 A

              Rds On-漏源导通电阻: 9.1 mOhms

              Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

              最小工作温度: - 55 C

              最大工作温度: + 150 C

              Pd-功率耗散: 1.56 W

              配置: Single

              通道模式: Enhancement

              封装: Cut Tape

              封装: Reel

              高度: 1.75 mm

              长度: 4.9 mm

              晶体管类型: 1 N-Channel

              宽度: 3.9 mm

              商标: Infineon Technologies

              下降时间: 4.4 ns

              产品类型: MOSFET

              上升时间: 4.4 ns

              工厂包装数量: 2500

              子类别: MOSFETs

              典型关闭延迟时间: 22 ns

              典型接通延迟时间: 5.4 ns

              零件号别名: BSO094N03SXT

              单位重量: 540 mg

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